共射、共基缩小电路频次特征差别缘由阐发-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-07-24
斟酌到三极管的极间寄生电容和电阻，可将三极管的模子化作图所示的电路。
图 斟酌到寄生电容和电阻的三级管
共射缩小电路下限频次低的底子缘由
图 斟酌寄生效应的共射缩小电路
按照上图所示，三极管的输出电容 Ci 与基极寄生电阻 rb 构成低通滤波器，此中，输出电容 Ci 是(1 + Av)倍的 Cbc 和 Cbe 之和。是以，在高频规模，共射缩小电路的缩小倍数必然降落。
也能够按照前文电路中接纳的三极管的寄生参数，简略计较共射缩小电路的下限停止频次。比方，2N3904 的寄生电容为下图所示。
图 2N3904 的寄生电容
再按照低通滤波器的停止频次公式 fc = 1/(2πRC) ≈ 2.5MHz，此中，R 值在 2N3904 中并未找到，暂取 200 欧姆。能够看出，大略计较的成果与上述仿真的成果根基符合。
是以，共射极缩小电路在高频旌旗灯号感化时缩小倍数降落，是由晶体管极间电容和散布电容致使的。
一样，来阐发一下共基缩小电路下限停止频次高的底子缘由。
共基缩小电路下限频次高的底子缘由
和共射缩小电路一样，仍可将三极管的模子化作图所示的电路。
图 斟酌寄生效应的共基缩小电路
现实上，三极管的输出电容 Ci 与射级电阻 RE 构成低通滤波器，此中，输出电容 Ci 是(Av – 1)倍的 Cce 和 Cbe 之和。
现实上，因为共基缩小电路的输出电阻极小（不斟酌 RE 时，射级等效于交换接地），远小于输出电容 Ci 的交换阻抗。以是，在必然频次内，即便三极管的输出电容 Ci 与射级电阻 RE 构成低通滤波器，也不会对输出旌旗灯号发生影响。
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