VCC端串入PMOS管的防反接掩护电路分享-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-07-13
上篇文章阐发了基于 GND 端串入 NMOS 管的防反接电路，本文则对 VCC 端串入 PMOS 管的防反接电路停止阐发。比拟于以往的防反接电路，MOS 管范例的防反接掩护电路，具备低功耗和压降小的长处。
道理图
道理阐发
阐发体例同上篇文章“GND 端串入 NMOS 管的防反接电路”，只不过须要注重 PMOS 管 VGS<0 时，MOS 管开启。
器件阐发
阐发体例同上篇文章“GND 端串入 NMOS 管的防反接电路”，这里 R2 取 1K。
须要注重：
（1）因为 VBAT 端要供给负载的任务电流，是以，请求 PMOS 管的导通内阻比 NMOS 管要更小。普通来讲，导通内阻越小，其 Gate 真个结电容就越大，以是 PMOS 管的开关速率就会越慢，是以，要综合斟酌。
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