NMOS管串入GND管脚的防反接掩护电路-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-07-13
本文阐发基于MOS管的防反接电路，如NMOS管串入GND管脚的防反接电路。比拟于以往的防反接电路，MOS管范例的防反接掩护电路，具备低功耗和压降小的长处。
道理图
按照上图能够看出，MOS管范例的防反接掩护电路稍微庞杂。
道理阐发
（1）普通任务时
NMOS管的Gate端经R2电阻接VBAT，Source端接芯片GND，Drain端接电源GND。以是，准确上电时，NMOS管的体二极管正向导通，Source端电压为0.2V摆布，NMOS管导通。
（2）电源反接时
NMOS管不再导通，即掩护了HSD。
器件阐发
（1）Zener二极管
当供电电压大于VGS时，Zener二极管能够很好的掩护NMOS管，以是挑选的Zener二极管阈值应小于VGS；
别的，当Zener二极管的阈值太小时，供电电压大于Zener二极管的阈值，则流经R2和Zener二极管的电流会很大，NMOS管上的电压就变小，存在不能翻开NMOS管的危险。是以，拔取Zener二极管时，须要注重这两点。
（2）电阻R2
普通任务时，电阻R2的感化有两个：
(a)当供电电压大于Zener二极管的阈值时，限定经由过程Zener二极管的电流；
(b)R2和NMOS管的Gate端电容组合会影响NMOS管的充放电速率，也便是会影响NMOS管的开关速率。是以，普通取15K。
（3）电容C（可选）
对脉冲规范ISO7637-2-2004(E)脉冲1测试IV来讲，若是须要兼容该规范，则不必安排电容C；不然，应在Zener二极管两头并联电容C，且R2C的时候应大于2ms（ISO7637-2-2004(E)脉冲1测试IV）。
须要注重的处所：
（1）NMOS管的掩护电路同其余GND端掩护电路不异，即电源反接时，负载仍能够任务的（颠末HSD的功率MOS管体二极管），是以，须要注重此种环境下芯片发烧的题目。
（2）NMOS管上的压降，其压降为RDS(ON)xISON。是以，为了进一步减小这个压降，须要挑选导通电阻小的NMOS管。
优错误谬误：
长处：低功耗，压降小。
错误谬误：本钱高，电路略庞杂。
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公家号:“KIA半导体”或扫一扫下图“存眷”官方微信公家号
请“存眷”官方微信公家号:供给 MOS管 手艺赞助
免责申明：本网站局部文章或图片来历别的来由，若有侵权，请接洽删除。
