【MOSFET功率消耗】MOSFET的传导消耗-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-07-10
MOSFET 作为开关元件，导通时电流流过图 1 中的回路 1，断开时无电流流过。是以，MOSFET 的功率消耗首要由传导消耗和开关消耗构成。
MOSFET 的传导消耗(PCOND_MOSFET)类似即是导通电阻(RDS_ON)、占空比(D)和导通时 MOSFET 的均匀电流(IMOSFETAVG)的平方的乘积。
即：
PCOND_MOSFET = IMOSFET_AVG2*RDSON*D
上式给出了开关电源中 MOSFET 传导消耗的类似值，但它只作为电路消耗的预算值，由于电流线性回升时所发生的功耗大于由均匀电流计较获得的功耗（见下方证实）。
对“峰值”电流，更精确的计较体例是对电流峰值和谷值(图 2 中的 IV和 IP)之间的电流波形的平方停止积分获得预算值。
图 2 MOSFET 电流波形
下式给出了更精确的预算消耗的体例，操纵 IP和 IV之间电流波形平方的积分替换简略的均匀电流计较的功耗。
也就证实了电流线性回升所发生的功耗大于由均匀电流计较获得的功耗！
固然也能够用图 2 中的实例别离计较两种预算公式的成果：
比方：若是 Iv为 0.25A，IP为 1.75A，RDS(ON)为 0.1Ω，VOUT为 VIN/2，即 D = 0.5，基于均匀电流(1A)的计较成果为：
是以，能够得出普通论断：对峰均比拟小（即电流纹波率）的电流波形，两种计较成果的不同很小，操纵均匀电流计较便可知足请求。
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