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电源优良MOS管KNX4760A 8A 600V TO-220参数材料-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2023-07-06 

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电源优良MOS管KNX4760A 8A 600V TO-220参数材料-KIA MOS管


KNX4760A 8A 600V-产物特点

专业立体新手艺

RDS(ON),typ.=0.85Ω@VGS=10V

低栅极电荷使开关消耗最小化

快规复体二极管


KNX4760A 8A 600V-利用范畴

适配器充电器

SMPS电源

液晶面板电源


KNX4760A 8A 600V-封装


KNX4760A 8A 600V


KNX4760A 8A 600V-参数

漏源电压:600V

栅源电压:±30V

持续泄电流:8.0A

单脉冲雪崩能量:580MJ

峰值二极管规复dv/dt:5.0V/ns

漏源击穿电压:600V

输入电容:1250pF

输入电容:110pF

反向转移电容:16pF

漏源二极管正向电压:1.5V

持续漏源电流:8A


KNX4760A 8A 600V-规格书

检查及下载规格书,请点击下图。


KNX4760A 8A 600V

KNX4760A 8A 600V

KIA半导体的产物涵盖产业、新动力、交通运输、绿色照明四大范畴,不只包含光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴动力,也触及汽车配件、LED照明等家庭用品。KIA专一于产物的邃密化与改革,力图为客户供给最具行业抢先、品德上乘的科技产物。



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