开关电源同步整流手艺图文详解-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-06-29
同步整流手艺便是接纳低导通电阻的功率MOS管代替开关变更器快规复二极管，起整流管的感化，从而到达降落整流消耗，进步效力的目标。
同步整流的根基电路布局
同步整流是接纳通态电阻极低的公勤奋率MOSFET，来代替整流二极管以降落整流消耗的一项新手艺。它能大大进步DC／DC变更器的效力并且不存在由肖特基势垒电压而形成的死区电压。功率MOSFET属于电压节制型器件，它在导通时的伏安特征呈线性干系。勤奋率MOSFET做整流器时，请求栅极电压必须与被整流电压的相位坚持同步能力实现整流功效，故称之为同步整流。
任务体例的比拟
传统的同步整流计划根基上都是PWM型同步整流，主开关与同步整流开关的驱动旌旗灯号之间必须设置必然的死区时候，以防止穿插导通，是以，同步整流MOS管就存在体二极管导通和反向规复等题目，从而降落同步整流电路的机能。
双端自激、断绝式同步整流电路
现实举例（反激同步整流设想 ）
根基的反激电路布局
一种现实的外驱电路
增添驱动能力的外驱电路
由NMOSFET组成的反激同步整流自驱动电路布局
由PMOSFET组成的反激同步整流自驱动电路布局
反激同步整流驱动电路挑选
同步整流管的驱动体例有三种：第一种是外加驱动节制电路，长处是其驱动波形的品质高，调试便利。错误谬误是：电路庞杂，本钱高，在寻求小型化和低本钱的明天只要研讨代价，根基不利用代价。
上图是简略的外驱电路，R1D1用于调剂死区。该电路的驱动能力较小，在同步整流管的Ciss较小时，能够利用。图6是在图5的根本上增添副边推挽驱动电路的布局，能够驱动Ciss较大的MOSFET。在输入电压低于5V时，须要增添驱动电路供电电源。
第二种是自驱动同步整流。长处是间接由变压器副边绕组驱动或在主变压器上加自力驱动绕组，电路简略、本钱低和自顺应驱动是首要上风，在贸易化产物中普遍利用。
错误谬误是电路调试的柔性较少，在宽输入高压规模时，有些波形须要附加限幅整形电路能力知足驱动请求。因为Vgs的正向驱动都反比于输入电压，调理驱动绕组的匝数能够肯定比例系数，且输入电压都是很稳定的，以是驱动电压也很稳定。比拟费事的是负向电压能够会超标，须要在设想变压器变比时斟酌驱动负压幅度。
第三种是半自驱。其驱动波形的回升或降落沿，一个是由主变压器供给的旌旗灯号，另外一个是自力的外驱动电路供给的旌旗灯号。上图是针对自驱的负压题目，用零丁的放电回路，供给同步整流管的关断旌旗灯号，避开了自驱动负压放电的电压超标题目。
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