H桥驱动直流机电电路及任务效力计较-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-06-29
H桥驱动直流机电是很罕见的利用，罕见的体例有三种，三极管驱动、MOS管驱动、集成电路驱动。那末对这三种体例驱动直流机电也存在各自的优错误谬误，集成电路比拟便利，可是效力比拟低；MOS管效力是最高的，三极管效力居中。触及到详细的电路外面和任务效力应当若何计较呢？
之以是存在任务效力的凹凸，归根结柢是由于晶体管上在导通和关断的时辰在集电极和发射极会存在压降，固然咱们日常平凡阐发的时辰能够将其疏忽掉，由于只要零点几伏，可是计较效力的时辰，就要将其斟酌出去了。为了便于比拟，将 H 桥的驱动电流定位在 2A 程度上，而电压在 5 - 12V 之间。
以驱动一个 5V 、 2A 的直流机电为例
三极管驱动：
之以是存在功率耗损首要缘由是三极管导通、停止存在压降，规格书上能够看到S8050压降为0.5V，S8550压降为1.2V
三极管耗损功率为：（0.6+1.2）*2=3.6W机电获得的功率为：5*2=10W
效力为：10/13.6=73.5%
小我感觉上述电路应当将NPN和PNP换个地位比拟好，电路不考证，此处不做产物机能阐发，只从效力做切磋。
MOS管驱动：
MOS的导通压降要经由过程导通电阻来计较，IRF9540导通电阻为0.2Ω，导通压降为2*0.2=0.4V；IRF3205导通电阻为0.008Ω，导通压降为2*0.008=0.016V
MOS的耗损功率为：2*（0.4+0.016）=0.832W
机电获得的功率为：5*2=10W
效力为：10/10.832=92.3%
集成电路驱动：
VCEsat(H)为上桥臂压降，2A时为2.7V
VCEsat(L)为上桥臂压降,2A时为2.3V
VCEsat为高低桥臂压降之和，2A时为4.9V
集成电路L298N耗损功率为：2*4.9=9.8W
机电获得的功率为：5*2=10W
效力为：10/19.8=50.5%
经由过程下面的阐发计较能够很数据化的看出来MOS管的效力高于三极管高于集成电路，用自力元器件搭建H桥本钱低，效力高，但须要比拟高的手艺请求，不变性的有待考证；而集成电路则便利快速，可是效力就比拟低了。
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