【电路分享】几种高频逆变器后级电路图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-06-27
高频逆变器后级电路图一：
电路中C1，C2别离是Q1，Q2的GD结电容，左侧高低两个波形别离是Q1，Q2的栅极驱动波形。咱们先从t1-t2死区时辰起头阐发，从图中能够看出这段时辰为死区时辰，也便是说这段时辰内两管都不导通，半桥中点电压为母线电压的一半，也便是说C1，C2充电也是母线电压的一半。
当驱动旌旗灯号运转到t2时辰时，Q1的栅极变为高电平，Q1起头导通，半桥中点的电位急剧回升，C2经由过程母线电压充电，充电电流经由过程驱动电阻Rg和驱动电路放电管Q4，这个充电电流会在驱动电阻Rg和驱动电路放电管Q4上发生一个毛刺电压，请看图中t2时辰那条白色的竖线。
若是这个毛刺电压的幅值跨越了Q2的开启电压Qth，半桥的高低两管就共通了。偶然候高低两管轻细共通并不必然会炸管，但会造胜利率管发烧，在母线上用示波器察看也会看到很较着的搅扰毛刺。只要共通比拟严峻的时辰才会炸管。另有一个特征便是母线电压越高毛刺电压也越高，也越会引发炸管。
高频逆变器后级电路图二：
13脚的逻辑地和2脚的驱动地在布线时要分隔来走，逻辑地普通要接到5V滤波电容的负端，再到高压滤波电容的负端，驱动地普通要接到12-15V驱动电源的滤波电容的负端，再到两个低端高压MOS管中较远的阿谁MOS的源极。以下图：
在正弦波逆变器中由于载波的频次较高，母线电压也较高，自举二极管要利用高频高压的二极管。由于载波占空比靠近100%，自举电容的容量要根据基波计较，普通须要取到47-100uF，最好并一个小的高频电容。
高频逆变器后级电路图三：
图1电路中IC1的15脚核心电路的R1、C1构成上电软启动电路。上电时电容C1两头的电压由0V慢慢降低，只要当C1两头电压到达5V以上时，才许可IC1外部的脉宽调制电路起头任务。当电源断电后，C1经由过程电阻R2放电，保障下次上电时的软启动电路一般任务。
IC1的15脚核心电路的R1、Rt、R2构成过热掩护电路，Rt为正温度系数热敏电阻，常温阻值可在150Ω～300Ω规模内任选，恰当选大些可进步过热掩护电路启动的活络度。
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