高压脉冲电源：高压MOS管/IGBT短路掩护电路-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-06-26
高压脉冲电源：带短路掩护锁定驱动以下图所示：
图所标1：驱动输入
图所标2：驱动地
图所标3：短路旌旗灯号检测入端
此电路为抱负状况下道理
电路中存在短路时，流过MOS管电流值大，S极电阻两头发生压降后，致三极管由停止进入导通，此时驱动电阻有压降，MOS管进入缩小区，高电压不过MOS管停止强行电流放电，芯片不会局部过热，短时候内掩护电路检测到短路存在，并封闭锁定驱动电压输入。
MOS管宁静性进步了，因在此进程中蒙受恒流功率消耗；
S级电阻：与MOS的IDM相干。
三极管感化：
1.不任务在开关状况;
2.按照MOS管瞬态电流值调剂MOS管驱动电压,保障在短路时，IDM不超越宁静任务规模；
此时，因为在 ≤ 1US 时候内驱动被关断锁定，无功消耗，三极管反应时候越快越好。
以下图电路，为电流负反应电路衍生而来：
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公家号:“KIA半导体”或扫一扫下图“存眷”官方微信公家号
请“存眷”官方微信公家号:供给 MOS管 手艺赞助
免责申明：本网站局部文章或图片来历别的来由，若有侵权，请接洽删除。
