KIA16N50 16A 500V逆变器电路利用保举 原厂送样-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-06-09
KIA16N50 功率MOSFET是利用KIA进步前辈的立体条纹DMOS手艺出产的。这类进步前辈的手艺颠末出格定制，能够最大限制地削减导通电阻，供给出色的开关机能，并在雪崩和换向情势下蒙受高能脉冲。这些器件很是合用于基于半桥拓扑的高效开关电源、有源功率因数校订。
KIA16N50 16A 500V-特色
RDS（开）=0.32Ω@ VGS=10V
低栅极电荷（典范45nC）
疾速切换才能
指定雪崩能量
改良的dv/dt才能
KIA16N50 16A 500V-参数
产物型号：KIA16N50
任务体例：16A/500V
漏源电压：500V
栅源电压：±30V
泄电留连续：16A
脉冲漏极电流：64A
雪崩能量：853mJ
耗散功率：38.5W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：500V
温度系数：0.6V/℃
栅极阈值电压：3.0V
输入电容：2200PF
输入电容：350PF
回升时候：170 ns
封装情势：TO-247、TO-220F、TO-3P
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
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