逆变器后级电路经常使用MOS管KIA13N50H 13A 150V原厂-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-06-08
KIA13N50H合用于逆变器后级电路，高效优良；KIA13N50H N沟道加强型硅栅功率MOSFET设想用于高电压、诸如高效力开关形式电源的高速功率开关利用，基于半桥拓扑布局的有源功率因数校订电子灯镇流器。
产物编号：KIA13N50
漏极至源极电压（VDSS）：500V
栅源电压（VGSS）：±30V
漏极电流 （持续）（lD）：13A
耗散功率（PD）：195W
任务温度：±150℃
击穿电压温度：0.5/℃
输出电容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz
回升时候：VDD=250V，ID=13A，RG=25Ω
RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v
低栅极电荷（典范的45nc）
疾速切换的才能
雪崩能量
改良的dt／dt才能
以下为KIA13N50产物PDF格局的产物具体材料，检查概况请点击下图。
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