【电源精选】反极性掩护图文阐发-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-06-01
反极性掩护
界说
反极性指的是电源或电池输出的正负极接反。
风险
对MCU、DC/DC转换器或其余集成电路的静电放电（ESD）二极管，毗连的电池或有极性的电容形成严峻破坏。
优化体例
1）利用肖特基二极管
2）高压侧利用pmos
当电源正接时，体二极管导通后，pmos导通，当电源反接时，pmos的g为正，vgs大于0致使pmos不通，且体二极管也不通，掩护了后级电路的影响。
3）高压侧利用nmos
道理同高压侧利用pmos。
利用分立mos搭建的错误谬误是：
贫乏反向电流阻断
高压下pmos的导通电阻大，致使功耗大
pmos贵
没人喜好地上有动摇，以是nmos放地上大几率不必。
4）抱负二极管
总结
反极性掩护和反向电流掩护是不同的观点，反极性掩护能够避免负压对负载形成破坏，不必然会禁止反向电流。
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