集成负载开关、参数、特征详细阐发-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-05-22
集成负载开关框图
大局部集成负载开关包罗四个引脚：输出电压引脚、输出电压引脚、使能引脚和接地引脚。
其内部框图以下：
（1）导通FET是负载开关的首要元件，它决议了负载开关可处置的最大输出电压和最大负载电流。负载开关的导通电阻是导通FET的特征，将用于计较负载开关的功耗。导通FET既能够是N沟道FET，也能够是P沟道FET，这将决议负载开关的架构。
（2）栅极驱动器以节制体例对FET的栅极停止充放电，从而节制器件的回升时候。
（3）节制逻辑由内部逻辑旌旗灯号驱动。它节制了导通FET和别的模块（如疾速输出放电模块、充电泵和带掩护功效的模块）的接通和关断。
（4）并非一切负载开关中均包罗电荷泵。电荷泵用于带有N沟道FET的负载开关，由于栅极和源极(VOUT)间须要有正差分电压能力准确接通FET。
（5）疾速输出放电模块是一个毗连VOUT到GND的片上电阻，当经由过程ON引脚禁用器件时，该电阻导通。这将对输出节点停止放电，从而避免输出浮空。对带有疾速输出放电模块的器件，仅当VIN和VBIAS处于任务规模内时，此功效才有用。
（6）差别的负载开关中还包含别的功效。这些功效包含但不限于热关断、限流和反向电流掩护等。
集成负载开关datasheet中的参数
上面列出了负载开关的罕见数据表参数和界说。
-输出电压规模(VIN)–这是负载开关可撑持的输出电压规模。
-偏置电压规模(VBIAS)–这是负载开关可撑持的偏置电压规模。为负载开关的内部模块供电能够须要此参数，详细取决于负载开关的架构。
-最大持续电流(IMAX)–这是负载开关可撑持的最大持续直流电流。
-导通状况电阻(RON)–这是在VIN引脚与VOUT引脚间测得的电阻，此中斟酌了封装和内部导通FET的电阻。
-静态电流(IQ)–这是为器件的内部模块供电所需的电流量，以VOUT上不任何负载时流入VIN引脚的电流为丈量值。
-关断电流(ISD)–这是禁用器件时流入VIN的电流量。
-ON引脚输出泄电流(ION)–这是ON引脚上施加高电压时流向ON引脚的电流量。
-下拉电阻(RPD)–这是禁用器件时从VOUT到GND的下拉电阻值。
集成负载开关的导通特征
以下图，以TI的TPS22919负载开关为例，电压5V，电流1A，负载电容100μF。
节制的回升时候确保了较低的浪涌电流和输出电压降落，且不须要利用任何内部组件。
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