MOS管RDS(on)与VGS(th)温度特征图文阐发-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-05-11
别离找一份PMOS和一份NMOS的datasheet，看下导通电阻的正温度特征，阈值电压的负温度特征是甚么样的。
上面两张图别离PMOS的导通电阻与阈值电压随温度变更的曲线。
上面两张图别离NMOS的导通电阻与阈值电压随温度变更的曲线。
能够看出，不论是NMOS仍是PMOS，导通电阻RDS（on）都跟着温度的降落而增大，阈值电压相对值都随温度的降落而降落。
MOS管的导通电阻与此中的载流子迁徙率有关，载流子迁徙率越慢，导通电阻越大。
MOS管反型层中的电子和空穴迁徙率跟着温度降落而降落。这是因为温度降落，载流子在沟道中遭到的散射概率增添的原因。
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