MOS管寄生电容若何构成？图文详解-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-05-10
MOS管规格书中有三个寄生电容参数，别离是：输入电容Ciss、输入电容Coss、反向传输电容Crss。该三个电容参数详细到管子的本体中，别离代表甚么？是若何构成的？
功率半导体的焦点是PN结，从二极管、三极管参加效应管，都是按照PN结特征所做的各类利用。场效应管分为结型、绝缘栅型，此中绝缘栅型也称MOS管（Metal Oxide Semiconductor）。按照不通电环境下反型层是不是存在，MOS管可分为加强型、耗尽型。
寄生电容构成的缘由
1. 势垒电容：功率半导体中，当N型和P型半导体连系后，因为浓度差致使N型半导体的电子会有局局部散到P型半导体的空穴中，是以在连系面处的两侧会构成空间电荷区（该空间电荷区构成的电场会阻值分散活动停止，终究使分散活动到达均衡）；
2.分散电容：当外加正向电压时，接近耗尽层交壤面的非均衡少子浓度高，阔别非均衡少子浓度低，且浓度自高究竟逐步衰减直到0。当外加正向电压增大时，非均衡少子的浓度增大且浓度梯度也增大，外加电压减小时，变更相反。该景象中电荷堆集和开释的进程与电容器充放电进程不异，称为分散电容。
MOS管寄生电容布局以下，此中，多晶硅宽度、沟道与沟槽宽度、G极氧化层厚度、PN结搀杂表面等都是影响寄生电容的身分。
对MOS管规格书中三个电容参数的界说，
输入电容Ciss = Cgs + Cgd；
输入电容Coss = Cds + Cgd；
反向传输电容Crss = Cgd
这三个电容几近不受温度变更的影响，是以，驱动电压、开关频次会比拟较着地影响MOS管的开关特征，而温度的影响却比拟小。
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