进步前辈工艺下MIM电容和MOM电容的比拟阐发-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-05-09
1、单元面积容值
不异的单元面积容值，电容值 MIM < MOM，MIM 约是1/3 MOS电容值。
2、工艺完成和电压系数
MOM电容上风在于不须要额定 mask，MIM须要额定 mask 和工艺能力完成。
因为 MOM电容的介质层普通接纳二氧化硅，在 MOM 上施加差别的电压时，对介质层的耗尽极小，使其只要很小的电压系数。同时温度对二氧化硅和MOM电容导电前言的影响极小，也使其具备很好的温度系数。
另外，MOM电容的布局情势简略，仅包含金属互联层和互联层之间的氧化层，与惯例的逻辑电路工艺和摹拟电路工艺相兼容，使其能够在不增添额定工艺的前提下取得具备更高电容密度的集成电容。
MIM 由平行板电容器的计较公式可知，较薄，且介电常数较高的介电层能够取得更高的单元面积电容。但是，过薄的介电层会明显增添电容极板之间的泄露电流，高介电常数的介电层的选用本钱较高，是以高介电常数的介电层资料的挑选就成了工艺研发的一项主要任务。
同时，两电极板之间的间距太小也会进步 MIM电容的电压系数，降落了集成电容的线性度，这在摹拟集成电路设想中会严峻影响线性体系的不变性，增添电路设想的难度。
3、电容密度受频次的影响(不变性）
100F/μm2的 MOM电容的电容密度在跟着频次的增添而逐步增添，而此面积下的MIM电容的电容密度则比拟不变，且有较为迟缓的降落趋向。
这申明在此面积下，MIM电容的电容密度对频次不敏感，而MOM受频次的影响则比拟大。以是咱们凡是说 MOM 不变性不如 MIM 指的是频次的不变性。
以下图：
4、自谐振频次随面积的变更
从图3.10中能够看出,MOM电容和 MIM电容的自谐振频次会跟着面积的增大而减小，并逐步趋于不变。同时 MOM电容具备绝对较高和不变的自谐振频次。变更曲线如图3.10所示。
5、品德因数
电容的品德因数在电容的自谐振点处到达最高，同时，品德因数：MOM > MIM。
6、MIM 和 MOM 的表格比拟
总结
越高等的工艺越方向于利用 MOM电容而不是 MIM电容，从上述的几个角度能够看出，
（1）MOM 在单元面积容值上，MOM 更节流面积。
（2）工艺完成和电压系数上，MOM电容上风在于不须要额定 mask，MIM须要额定 mask 和工艺能力完成。MIM 电压系数不好，影响线性度，并且本钱高。
（3）MOM电容具备绝对较高和不变的自谐振频次，随之带来品德因数较高。
综合以上缘由，进步前辈的工艺会更方向利用 MOM电容。
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