MIM、MOM和MOS电容的区分图文详解-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-05-09
ic layout常常会碰到这三种电容： MOS， MOM ， MIM。
MOS 电容：
两头布局的mos管，电容值不切确，能够完成随节制电压变更而变更的容值，高低极板接法不可交换。
MOS电容能够分为三层
基层是金属制成的栅电极(gate)
基层是半导体制成的基极(substrate)
中间层添补了氧化物，凡是为SiO2
它只要 gate 和 substrate 两个端口
表示图以下：
MOM 电容：
如图1所示，finger 插指电容，即操纵同层 metal边沿之间的C。为了省面积，能够多层metal叠加，PDK 中 metal 层数能够挑选。
普通只在多层金属的进步前辈制程上操纵，因为是经由过程多层布线的幅员来完成的，但获得的电容值肯定性和不变性不如 MIM，普通能够会用在那种对电容值请求不高，只是用到绝对比值之类的操纵。高低极板接法可交换。
MIM 电容 ：
近似于平板电容，电容值较切确，电容值不会随偏压变更而变更，普通制程上用mTOP l & mTOP -1 来做，电容值能够用下级板面积*单元容值来停止预算，高低极板接法不可交换，普通用于analog，RF工艺。
MIM (Metal-Insulator-Metal)电容
MIM 电容被称为极板电容，电容值较切确，电容值不会随偏压变更而变更。是 Mn 和Mn-1 (幅员金属层数)金属组成的，操纵高低层金属间的电容组成。
电容值能够用下级板面积*单元容值来停止预算，高低极板接法不可交换，普通用于analog，RF 工艺。因为高低层金属在三维空间内搁着氧化层较远，是以会在高低层金属增添 MCT(TSMC的叫法是CTM）条理，并且用通孔停止毗连高低层金属，以此来到达减少极板间距，增添电容。
如图1所示，上极板 MCT 为正极，下极板 Metal Top-1为负极，上极板的电位由 Metal Top 引出。因为 MCT 层的存在，Via并不能打到 Metal Top-1，现实只是用以毗连Metal Top和MCT。
不异面积的三个电容，电容值 MIM<MOM，MIM约是1/3 MOS电容值.
MOM电容上风在于不须要额定mask，MIM须要额定mask和工艺能力完成。
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