【集成电容】MOS电容与平板电容阐发-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-05-08
电容是一种对电荷信号停止处置的无源器件。与电阻类似,电容在数模夹杂电路体系中有非常普遍的利用,如运放中的频次弥补、振荡器中的线性充放电电压节制等;
另外,积分电路、滤波电路、电源去耦、开关电容电路、提早电路、启动电路、输出旌旗灯号的直流断绝等电路规划,都离不开电容器件。固然,差别的利用范畴,对电容的精度和线性度的请求不尽不异。
在CMOS工艺中,凡是接纳平板电容和MOS电容两种差别的范例,另外另有与偏置电压有关的PN结非线性电容和引线寄生电容等。平板电容的线性度和分歧性杰出,而MOS电容的单位面积电容容量大,节流面积。各种寄生电容在电路利用中普通须要停止有用按捺。
①平板电容：线性度和分歧性杰出
②MOS电容：单位面积电容容量大,节流面积
③PN结非线性电容：与偏置电压有关
④引线寄生电容：普通须要停止有用按捺
平板电容
与电阻差别,平板电容的长宽均在统一数目级上,是以电容的相对偏差与平板电容的周长面积比有关。凡是电容尺寸在一维方向上的相对偏差△e不异,若两电容具备不异的周长面积比,则两电容的婚配精度最高。
与电阻规划相类似,凡是接纳正方形的单位电容并联规划组成大的电容,经由过程AB/BA的两维穿插耦合对称散布,获得完整婚配的电容散布。
图2-16给出了根基单位电容C并联组成的4C电容幅员规划表示图。当A、B代表两个电容时,也可组成1:1的婚配电容。当电容比为非整常数时,应使两电容具备不异的周长面积比。
MOS电容
MOS电容因为其电压的非线性特征,凡是用于对电容值精度请求不高的场所。MOS电容由源漏及衬底均为短路的MOS管组成,MOS管沟道反型层的电荷散布与栅压的相干。
图2-17给出了MOS电容随栅压VG变更而变更的表示图。较着,在MOS管开启四周,MOS管电容表现较着的非线性特征;只要在阔别弱开启的强反型或堆集区,MOS管电容坚持为Cox栅电容的线性性子。
MOS电容的这一变更性子,一方面临电路的不变设想和非线性失真带来倒霉影响;但另外一方面,却能为电路的静态频次弥补供给有益的撑持前提。
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