MOS管C-V电容变更曲线分享-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-05-08
MOS管电容别离由氧化层电容和半导体电容串连构成，Cox为牢固电容值，和电容极板的厚度和面积有关。Cs为可变电容，与MOS管的任务状况有关。
MOS管的布局和电容表示图
当VGS为负压时，源漏之间的N型沟道还不构成，会使P型衬底的空穴在栅氧下方堆集。这时辰候的MOS电容的绝缘介质为栅氧。
当VGS电压由负压逐步转为正压时，SiO2下面的P型衬底的空穴起头被排挤，构成耗尽层(即空间电荷区，多子被耗尽了)。
这个空间电荷区是由电子和空穴连系后构成的地区，它不带电，以是是个绝缘体。这个绝缘体也构成了一个电容，该电容与栅氧电容并联，致使总的等效电容值降落。
并且，跟着电压的降低，空间电荷区的宽度增大，总电容值持续降落。当VGS电压持续增大，少子被吸收到外表构成反型层，构成N型沟道，源漏端和这个沟道毗连在一路，如许电容即为栅氧化层电容。
咱们能够经由过程0.18工艺的5V MOS管仿真MOS电容：停止ac仿真，加到Gate下面的电压交换旌旗灯号幅度为1，扫描变量直流电压V，并且频次牢固为必然值1/2π。
按照以下公式，便可获得电流I的值就即是电容值。
1、当source，drain和背栅接在一路。
低频时C-V变更曲线
2、当加在栅压上的交换电压频次为159T时，电容的曲线为：
高频时C-V变更曲线
有一类罕见的可变电容，这类电容任务在堆集区，它随电压变更的线性度比拟好，在电路中获得普遍的利用。
当VGS大于0时，沟道堆集多子，沟道导通的更利害，电容即为栅氧电容。
当VGS为负时，沟道起头吸收少子空穴，起头履历耗尽层和反型层，沟道电容和栅氧电容串连，电容值减小。
反型时构成P沟道，以是源漏不短接，这一点和MOS电容有区分。
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