MOS管的转移特征曲线、输入特征曲线-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-05-06
以某型号器件为例，经由进程阐发其曲线，来阐发MOS管的任务特征。
一、转移特征曲线(VGS-ID曲线)
申明的是栅极电压VGS对ID的节制感化。
从上图曲线可得到：
1、测试前提：VDS=20V；
2、VGS的开启电压VGS(th)，约5V，且跟着温度的下降而下降；
3、VGS须要到达10V以上，能力完整导通，到达其最大标称ID；
4、VGS越大，ID能力越大，温度越高，ID越小；
二、输入特征曲线(VDS-ID曲线)
上图可被分为四局部：
1、夹断区(停止区)
此地区内，VGS未到达VGS(th)，MOS管不导通，即ID根基为零；
2、可变电阻区
此地区内，ID-VDS根基保持线性比例干系，斜率即为MOSFET的导通电子Rds(on)。
3、饱和区
此地区内，ID不再跟着VDS的增大而增大。申明ID已饱和了。
4、击穿区
此地区内，因VDS过大，MOSFET被击穿破坏。
当MOSFET任务在开关状况时，跟着VGS的通/断，MOSFET是在停止区和可变电阻区往返切换的，在切换进程中能够会颠末饱和区。
当MOSFET任务于饱和区时，能够用来经由进程节制VGS的电压来节制电流ID，将MOSFET用于完成上电软起动电路。
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