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MOS管栅极驱动设想优化图文阐发-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2023-04-13 

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MOS管栅极驱动设想优化图文阐发-KIA MOS管


在大大都的开关功率利用电路中,当栅极被驱动,开关导通时漏极电流回升的速率是漏极电压降落速率的几倍,这将造胜利率消耗增添。


为了处理题目能够增添栅极驱动电流,但增添栅极驱动回升斜率又将带来过冲、振荡、EMI等题目。


优化栅极驱动设想,恰是在相互抵触的请求中追求一个均衡点,而这个均衡点便是开关导通时漏极电流回升的速率和漏极电压降落速率相称如许一种波形,抱负的驱动波形如图6所示。


图6的UGS波形包含了如许几局部:UGS第一段是疾速回升到门限电压;UGS第二段是比拟缓的回升速率以减慢漏极电流的回升速率,但此时的UGS也必须知足所需的漏极电流值;UGS第四段疾速回升使漏极电压疾速降落;UGS第五段是充电到最初的值。


固然,要获得完整一样的驱动波形是很坚苦的,可是能够获得一个大要的驱动电流波形,其回升时候即是抱负的漏极电压降落时候或漏极电流回升的时候,并且具备充足的尖峰值来充电开关时代的较大等效电容。该栅极尖峰电流IP的计较是:电荷必须完整知足开关期间的寄生电容所需。

MOS管 栅极驱动


利用实例

48V50A电路中接纳双晶体管正激式变更电路,其开关管接纳IXFH24N50,其参数为:

MOS管 栅极驱动

按照如前所述,驱动电压、电流的抱负波形不应当是一条直线,而应当是如图6所示的波形。尝试波形见图7。

MOS管 栅极驱动



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