电路设想：利用MOS管完成防电源反接电路-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-04-13
利用MOS管完成的防电源反接电路，在电源准确接入时，电源一般对负载供电。
在电源正负极反接时，断开负载电路，从而掩护负载。
上面讲授利用“P型”MOS管的防电源反接电路。
电路阐发（以Vin = 5V为例）
1、电源准确接入时
电源一般接入，也便是电源不正负反接，此时电源一般对负载供电。
假定拿掉MOS管g极的电阻R1，此时MOS管将不导通，但Vin能够经由过程MOS管的体二极管对负载停止供电。
体二极管的压降约为 5V - 4.3V = 0.7V。
现实上MOS管的g极是有电阻R1的，MOS管的g极经由过程电阻R1接到电源负极的GND。
在MOS管导通前，Vin的电压仍然经由过程MOS管体二极管串到Vout（也便是MOS管s极的电压）。
而当Vout从0回升到充足高时（常常不须要到4.3V），已有充足大的Vgs电压将MOS管翻开，终究各点的电压以下图。
此时Vgs= Vg - Vs = 0 - 5V = -5V。
2、电源正负极反接时
因为MOS管g极电压为5V --> 以是Vgs电压大于0 --> MOS管不导通，且体二极管也反向停止 --> 电流不能构成回路 --> 负载被掩护。
电路扩大
上述电路利用的是“P型”MOS管，也能够利用“N型”MOS管，电路以下。
详细道理和后面的阐发近似。
注重：
输出电源的Vin和GND之间不能用有极性的电容，不然电源正负反接时电容会破坏。
下图中，经由过程有极性的电容C1，构成了从GND到Vin的回路，以是C1会破坏。
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