MOSFET驱动器电路设置装备摆设图文分享-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-04-04
MOSFET驱动器栅极驱动典范设置装备摆设
利用MOSFET驱动器时能够接纳良多差别的电路设置装备摆设。良多时辰，因为高的峰值电流、驱动电压快的回升 / 降落时辰和电路板上长走线引发的电感，须要斟酌额定的钳位电路。图 3 至图 6 显现了常常利用的栅极驱动电路典范设置装备摆设。
最抱负的 MOSFET 驱动器电路如图 3 所示。这类设置装备摆设经常利用于升压（ boost）、反激式和单开关的正激开关电源拓扑布局中。
接纳准确的布板技能和挑选适合的偏置电压旁路电容，能够使 MOSFET 栅极电压获得很好的回升和降落时辰。除在偏置电压增添本地旁路电容外，MOSFET 驱动器的杰出铺地也很重要。
在良多栅极驱动利用中，也能够须要限定栅极驱动的峰值，以降落栅极电压的回升。凡是这能够降落因为MOSFET 漏极电压的疾速回升斜率致使的EMI 噪声。
经由过程更换具备更低峰值电流的 MOSFET 驱动器或增添一个串连栅极驱动电阻，如图 4 所示，就能够减缓MOSFET 栅极电压的回升和降落时辰。
在 MOSFET 驱动器并不安排在它所驱动的 MOSFET四周的利用中，驱动器的输入与 MOSFET 的栅极之间存在电感，这会致使MOSFET栅极电压振荡而跨越VDD和低于地 （GND）。
若是峰值电压跨越 MOSFET 标称的最大栅极电压， MOSFET 会破坏，进而致使生效。能够在 MOSFET 栅极和源极间增添一个齐纳二极管对电压停止钳位，如图 5 所示。
能够的话，应使 MOSFE驱动器和 MOSFET 的走线长度尽能够短，以此限定电感引发的振荡效应。驱动器输入和 MOSFET 栅极间的电感也会影响 MOSFET 驱动器在瞬态前提下将MOSFET 栅极坚持在低电平的才能。
图 6 显现了利用栅极驱动变压器的两种差别栅极驱动设置装备摆设。栅极驱动变压器能够用在高压或高压的利用中，从而在节制电路和功率 MOSFET 之间供给断绝，而这类断绝是为了知足宁静请求，或是供给高端浮空栅极驱动。
图 6 中的电路 A 和电路 B 显现了单开关正激利用中利用的栅极驱动变压器。与 MOSFET 驱动器输入和栅极驱动变压器串连的电阻和电容用于均衡栅极驱动变压器的电压 - 时辰。
因为栅极驱动变压器的电压 - 时辰必须均衡（对任何变压器都一样） ，在开关周期的停止时辰内，功率 MOSFET 的栅极被施加了一个负的栅源电压。良多时辰这会引发导通时开关时辰提早。
若是不但愿产生这类环境，能够利用 B 中的电路设置装备摆设。这个电路利用负的栅极驱动电压来导通别的一个小旌旗灯号 FET，进而短接主功率 MOSFET 的栅源端子，使其完整停止，并使栅极电压坚持在 0V。A 和 B 中显现的驱动设置装备摆设也能够用于双开关的正激拓扑布局。
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