SiC MOSFET短路掩护懂得阐发-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-04-04
SiC MOSFET短路掩护
1、SiC MOSFET的晶元面积小于IGBT晶元面积，短路时辰散热才能不迭IGBT。
2、IGBT短路后可以或许退饱和（desaturation）进入线性区，电流不再增添，可以或许自我限流。
3、短路后SiC MOSFET 由线性区（linear region）进入饱和区（saturation region），拐点电压很是高，是以Id电流增添的同时，Vds跟着回升，进一步扩展短路消耗。
4、IGBT退饱和掩护机理，以下图，普通任务Cblk 电压会被嵌位到Vce+Vd，当IGBT进入退饱和拐点后，Vce敏捷回升，Dhv由导通变为停止，电流源敏捷对Cblk充电，举高电压DESATFault 置位。
IGBT 退饱和电路
5、因为SiC MOSFET的“退饱和拐点”很是高，Vds的呼应速率很是慢，普通不接纳Vce电压停止“退饱和”操纵，经由过程采样电阻电流采样，精度高。可是消耗大，在小电流利用中利用。
6、对大电流利用，偏向于带有SENSE PIN的MOSFET停止电流采样，Rs上电流和主管上的电流存在必然的比例干系，从而减小采样电阻上电压。
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