SiC MOSFET RC接收电路设想、参数计较-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-04-03
本文提出了一种 SiC MOSFET 的漏源极之间充放电型 RC接收电路参数的计较体例。起首按照波形的振荡频次来计较电路中总的寄生电容值 ( C)和寄生电感值 ( L) ，而后再计较出 RC接收电路的电阻值 ( RSN) 和电容值 ( CSN) ，RC接收电路道理如图 4 所示。
RSN和 CSN的具体计较进程以下。
①起首按照SiC MOSFET 的 DS 引脚之间的电压 ( UDS) 波形振荡周期计较出谐振频次 ( f0) ，如图 5 所示。
②在图 4 中 SiC MOSFET 的漏源极之直接一个外接电容( Ctest) ，由此再测算出一个谐振频次 ( f1) 。
③计较出 C 和 L，即
尝试考证
本文基于以上设想搭建一台 SiC MOSFET 双并联交织升压 DC-DC 变流器的样机，主电路如图 1所示，样机如图 6 所示。
样机基于 TMS320F28335 DSP 芯片设想的节制体系; 主电路由直流撑持电容、储能电感和 SiC MOSFET 等组成，样机输入电压为 DC 72 V，母线电压为 DC 570 V，额外输入功率为 3 kW，母线电压撑持电容为 560 μF，储能电感为 75 μH，开关频次为 80 kHz。
接纳上述尝试平台对 RC接收电路计较体例的有用性停止考证，增添 RC接收电路前后 SiC MOSFET 的DS 引脚之间电压和母线电压 ( UDC) 的尝试波形如图 7 所示。
图 7 标明，增添 RC接收电路后，电压过冲由1 080 V降落至 740 V，下降了约31%; 不 RC接收电路时 SiC MOSFET 的 UDS单个波形振荡周期为 51 ns，颠末10个振荡周期( 510 ns) 后波形振荡根基消逝，增添 RC接收电路后无较着振荡周期，且213 ns后波形振荡根基消逝。
尝试考证了增添 RC接收电路后不只有用下降了电压过冲和振荡，并且减小了 SiC MOSFET 开关进程中母线电压的动摇。
本文对基于 ACPL－ 355JC 的 SiC MOSFET 驱动电路的设想停止了具体阐发，提出了一种 RC接收电路参数的计较体例，并经由过程尝试考证了该RC接收电路的有用性，也直接考证了该驱动电路的可行性。
所设想的驱动掩护电路和 RC接收电路已利用于铁路上的应急透风逆变器，并且经由过程了现实运转查核。后续将在下降接收电路功率消耗和进步驱动掩护电路不变性等方面停止加倍深切的研讨。
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