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【电源设想】SPICE热模子及实例分享-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2023-03-30 

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【电源设想】SPICE热模子及实例分享-KIA MOS管


SPICE 热模子 MOSFET

图 1:传统 SPICE 模子和热模子


热模子

凡是,热模子在仿真中较慢,由于除一般电气和电子行动的计较以外,仿真器还必须处置体系的一切热方程,这触及大批计较任务。


热模子的新端子以下:

Tc(外壳温度)

Tj(结温)

Ta(情况温度)

Tjd(MOSFET 中二极管的结温)


温度毗连用作电压节点并与电气部件电断绝。模子能够具有这些参数中的一些,而不必然是全数。凡是,结温包罗在模子中,是以用户只要界说“外壳温度”和情况温度。其余时辰,还必须由用户界说或查问结温。热节点 Tj 和 Tjd 许可用户轻松监控摹拟结温。凡是,不应毗连这些节点。热节点 Tc 包罗有关组件外壳的温度信息。


请注重,在热模子中:

节点中的电压表现温度,以°C 表现。

电阻表现热阻,以°C/W 表现。


为了充实懂得热改变的任务道理,能够将体系设想成一组限定温度感化的电阻器,如图 2 所示。

SPICE 热模子 MOSFET

图 2:温度按照其外形、尺寸和资料从一个组件通报到另外一个组件。


一个现实例子

以下现实示例利用 Cree C3M0060065D SiC MOSFET 模子,如图 3 所示。它是接纳 TO-247-3 封装的组件,具有以下特征:


电压:650 伏

编号:37

ID(脉冲):99 A

RDS(on): 60 mΩ

能够便利地与其余试样并联

案例:TO-247-3

Vgs:介于 –8 V 和 19 V 之间(保举电压为:15 V [on]、–4 V [off])

钯:150 瓦

Tj:–40°C 至 175°C

TL:最高密封温度 260°C

热电偶:0.99°C/W

热:40°C/W

SPICE 热模子 MOSFET

图 3:Cree 的 C3M0060065D 功率 MOSFET


图 4 中的图表显现了一个典范的电子开关,它经由过程 96 V 的电源供给 10 Ω 的电阻负载(负载上的电流约为 9.6 A)。让咱们查抄一下该计划的电气特征:


MOSFET 数据表保举的栅极电压 (V2):15 V

利用的 SiC MOSFET:Cree 的 C3M0060065D

负载电阻:10Ω

电路电源电压:96V


此刻让咱们查抄该计划的热特征:

情况温度:25°C

散热器热阻(R2):20°C/W


是以,虽然接线图利用了 25 V 的电压产生器和 20 Ω 的电阻器 R2,但此类组件仅用于设置装备摆设热体系,不具有电气功效。

SPICE 热模子 MOSFET

图 4:热原型的接线图


在接线图中,一样利用以下 SPICE 指令设置节点的初始温度很是主要:

.ic V(case_温度)=25



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