MOS管守旧关断：LC振荡电路及寄生参数-KIA MOS管

LC振荡电路

如图是最简略的LC震动电路，此中Ui=1V，L=1H，C=1F，按照拉普拉斯变更易得电容电压和输出电压的干系，Uc/Ui=1/（LCs2+1），将Ui=1/s代入有Uc(s)=1/(LCs3+s）,因式分化可得Uc(s)=1/s-s/(s2+1/LC)，反变更可得Uc(t)=1-cost，由此能够晓得Uc的角频次ω为1/√LC，并且带了巨细为Ui/Zr的直流偏置，此中Zr为LC电路的特点阻抗，Zr=√L/C；此时Uc的ω便是无阻尼震动角频次 ωn。

RLC振荡电路

按照拉普拉斯变更可得Uc/Ui=1/（LCs2+CRs+1）,可知无阻尼震动角频次ωn=1/√LC，ζ=R/2·√(L/C)，能够看出阻尼比是一个表现对旌旗灯号振荡障碍的参数，在LC电路中R=0，对振荡无障碍，是以输出为等幅振荡，在插手了R以后，输出波形逐步变为减幅振荡，对电容电压有Uc(t)=Ui-(Ui-Uc(0))coswt+IL(0)Zr·sinwt，能够懂得为电容电压初值只转变正弦份量幅值而不转变直流偏置，求导可得电感电流此中Zr=√(L/C)

由此可知阻尼比充足大时，能够使波形不发生振荡和超调。

MOS管各寄生电容参数阐发

起首咱们能够晓得MOS管高频下的模子以下图所示，此中Rg是驱动电路后加的，以后会有申明，Lg是栅极寄生电感，Cgd、Cds和Cgs别离为极间寄生电容。

看各类型号的MOSFET可知各寄生电容的参数，此中Ciss为输出电容，Ciss=Cgs+Cgd；Coss为输出电容，Coss=Cds+Cgd；Crss为反应电容。Crss=Cgd，并且这三个寄生参数首要与Vds有关。

若何懂得输出电容、输出电容和反应电容呢？

咱们都晓得GS是MOS管输出端，DS是MOS管输出端，当计较输出电容时，将输出Uds置0，此时DS两点短接，GS两点看出来能够获得Ciss=Cgs//Cgd=Cgs+Cgd，同理可得Coss=Cds//Cgd=Cds+Cgd，Cgd毗连着输出端和输出端，近似于反应电路里的反应通路，是以是反应电容。

MOS管守旧关断阐发

当gs两头接上守旧电压，若是不电阻Rg，会发生很强的振荡，是以必须增添栅极电阻Rg消弭这类振荡，可是电阻也不宜过大，过大的电阻会使守旧时候过慢，开关消耗增添，是以须要统筹统筹来挑选Rg的阻值。

比方:求MOS栅极驱动功率 P，假定开关频次f=10kHz，Qgs=28nC，驱动电路输出电压为U+=15V，

U-=-9V，以是输出功率P=（∫U+·i(t)dt+∫U-·i(t)dt）/Ts，此中第一个积分时候为0到DTs，第二个积分时候是DTs到Ts，可是电容的充电电荷是不异的，以是P=（U+·Q+U-·Q）/Ts=△UQf

当驱动正压时，经由过程Rgon和Lg给Cgs充电，假定输出正压Ui=15V，Rgon=20Ω，Lg=10nH，Cgs有手册可知≈5.1nF，仿真成果以下图所示

此时Vgs电压无超调，在0.5us时完成守旧，**Rgon便是用来调理开关速率，避免LC谐振，**对50kHz的开关频次，一个周期也便是20us，是以合适请求，固然咱们这是在抱负环境下的仿真，未斟酌到密勒平台等开关特征，但也能够定性完成阐发。

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