【图文】MOS管导通电压的具体阐发-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-03-06
阐发MOS管的开启电压对管子导通状况的影响。
筹办东西： 电路仿真软件LTspice,NMOS模子电路，NMOS数据手册等
停止实验：步骤1、先搭建一个简略的NMOS开关仿真电路，如图：
MOS的开启电压，以下图，
从图中能够看到MOS管的开启电压在1v~2.2v之间，以是咱们将VGS驱动电压设置在2.5v,而后转变电阻R1的阻值，察看VDS的电压变更。
步骤3、设置好参数后，咱们起头仿真，仿真成果如图下；
从图中咱们能够看到电阻R1的变更带来VDS的压降变更，0.4v到10v,也便是从靠近完整导通到完整停止。
步骤4、接上去咱们将驱动电压VGS设置为2.8v,在来仿真一下，成果如图下；
此次咱们能够看到只要两根线了，并且VDS的压降最低为0v,也便是说管子在VGS=2.8V的时辰，漏极电阻调到适合的值，管子是能够完整导通的。
步骤5、咱们把VGS的值改成3V，再来仿真看成果
此次咱们能够看到管子VDS的压降也就完整到mv级别了。
从下面这几个仿真能够发明，1、NMOS的漏级电压vds由驱动电压VGS和漏极电阻R1决议；2、VGS越大越有益于管子的导通；3、MOS管的驱动电压要大于规格书的最大开启电压（最小1v)，能力让管子完整导通。
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