【履历分享】摹拟设想中重叠MOSFET-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-02-23
在28nm以下，由于最大器件长度限定，摹拟设想职员常常要对多个利害度的MOSFET串连来建立长沟道的器件。这些串连毗连的器件凡是被称为重叠MOSFET或重叠器件。
比方，将三个1μm的MOSFET串连重叠，可建立一个沟道长度为3μm的有用器件（图1）。
图1：将三个MOSFET串连重叠，可供给3μm的沟道长度。
重叠MOSFET在古代摹拟设想中很是罕见，但并不是不题目。其首要题目是电容增添和面积更大。电容增添很大水平上是由于器件四周的互连增添。
总栅极面积和总栅极电容与非重叠等效电路类似，但在互连线上有额定的寄生电容。与单个长沟道器件比拟，重叠器件的物理分手增添了总设想面积。
当在电路中利用重叠MOSFET时，幅员品质变得比泛泛更主要。不良的幅员设想会明显增添寄生电容和设想面积，并能够使电路没法知足希冀的机能特征。
幅员设想工程师必须很是谨慎地设想这些器件的幅员。大大都处置于这些较小工艺节点的设想职员都履历过幅员前仿真和幅员后仿真很是差别的环境。凡是，这归因于重叠器件上所存在的互连寄生效应。
上面来看看几种完成重叠MOSFET高品质幅员的体例。图2中的子电路显现了将四个NMOS MOSFET重叠在一路而建立一个长沟道器件。
图2：将四个MOSFET重叠，可建立一个长沟道电路。
在这个电路中能够看到，一切的栅极引脚都是彼此毗连的（一切四个全体毗连也是如斯），也能够看到，一切的MOSFET都是经由过程将一个器件的漏极与下一个器件的源极串连起来而毗连在一路。
在这类环境下，由于每一个器件都是简略的单指MOSFET，是以能够利用简略的分散分派幅员形式来设想这类布局的幅员。
图3：将左侧的简略重叠环境与右侧的等效长沟道器件停止比拟。
简略重叠环境的幅员如图3左侧所示，能够看到它几近不额定的互连，由于等效的长沟道器件（右侧）也须要一个多晶硅触点。在这类环境下，面积倒霉明显，但这是不可防止的，并且由多晶硅最小间距法则所决议。
这类体例的另外一个题目是，很是长的有用器件能够致使很是长的分散分派链路。可是，能够将长链折叠成多行，如图4所示。可是，其价格是这增添了额定的互连，并进一步增添了重叠器件的电容。
图4：能够将长链折叠成多行。
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