高端驱动电路--MOS管调压电路-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-02-20
MOS驱动，有几个出格的须要：
1、高压利用
当利用5V电源,这时辰辰辰辰候若是利用传统的图腾柱布局,因为三极管的be有0.7V摆布的压降,致使实际终究加在gate.上的电压只要4.3V。这时辰辰辰辰候,咱们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在必然的危险。
一样的题目也发生在利用3V或者其余高压电源的场所。
2、宽电压利用
输入电压并不是一个牢固值,它会跟着时辰或其余身分而变化。这个变化致使PWM电路供给给MOS管的驱动电压是不不变的。
为了让MOS管在高gate电压下宁静,良多MOS管内置了稳压管强行限定gate电压的幅值。在这类环境下,当供给的驱动电压跨越稳压管的电压,就会弓|起较大的静态功耗。
同时,若是简略的用电阻分压的道理下降gate电压,就会呈现输入电压比拟高的时辰, MOS督工作杰出,而输入电压下降的时辰gate电压缺乏,引发导通不够完全,从而增添功耗。
3、双电压利用
在一些节制电路中,逻辑局部利用典范的5V或3.3V数字电压,而功率局部利用1 2V乃至更高的电压。两个电压接纳共地体例毗连。
这就提出一个请求，须要利用一个电路，让高压侧能够或许有用的节制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也一样会晤对1和2中提到的题目。
在这三种环境下，图腾柱布局没法知足输入请求，而良多现成的MOS驱动IC，仿佛也不包罗gate电压限定的布局。
设想一个绝对通用的电路来知足这三种须要。
电路图以下：
图1 用于NMOS的驱动电路
图2 用于PMOS的驱动电路
这里针对NMOS驱动电路做一个简略阐发：
Vl和Vh别离是低端和高真个电源，两个电压能够是不异的，可是Vl不应当跨越Vh。
Q1和Q2构成了一个反置的图腾柱，用来完成断绝，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。
R2和R3供给了PWM电压基准,经由过程转变这个基准,能够让电路任务在PWM旌旗灯号波形比拟陡直的地位。
Q3和Q4用来供给驱动电流,因为导通的时辰，Q3和Q4绝对Vh和GND最低都只要一个Vce的压降,这个压降凡是只要0.3V摆布,大大低于0.7V的Vce。
R5和R6是反应电阻,用于对gate电压停止采样,采样后的电压经由过程Q5对Q1和Q2的基极发生一个激烈的负反应,从而把gate电压限定在一个无限的数值。这个数值能够经由过程R5和R6来调理。
最初，R1供给了对Q3和Q4的基极电流限定，R4供给了对MOS管的gate电流限定,也便是Q3和Q4的Ice的限定。须要的时辰能够在R4下面并联加快电容。
这个电路供给了以下的特征:
1、用低端电压和PWM驱动高端MOS管。
2、用小幅度的PWM旌旗灯号驱动高gate电压须要的MOS管。
3、gate电压的峰值限定
4、输入和输入的电流限定
5、经由过程利用适合的电阻,能够到达很低的功耗。
6、PWM旌旗灯号反相。NMOS并不须要这个特征,能够经由过程前置一个 反相器来处理。
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