【MOS管利用】原边振铃节制分享-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-02-14
反激电源是最常用的拓扑之一。其变压器漏感常会引发原边振铃，并致使会破坏 MOSFET 的电压尖峰。是以，经由进程变压器和MOSFET 组件的公道设想来节制振铃很是主要。
RCD 钳位电路设想
在反激电路中，一旦 MOSFET 管关断，变压器就会将原边的能量传输到副边，但漏感能量却没法被转移，这会致使电路中的杂散电容发生振铃。漏感是发生振铃的底子缘由，它占总电感量的 1% 至 5%，但却没法完整消弭。不过，咱们能够或许经由进程特别的绕线体例来下降漏感。
图 1 显现的三明治绕线法（夹心绕线法）是下降漏感的一种传统体例。与建造三明治的进程近似，原边绕组（NP）被一分为二，而后将副边绕组（NS）顺次环绕纠缠在一半的NP、赞助绕组和剩下的一半NP上。
图2显现了MOSFET关断后的逆变电路，此时MOSFET两头的电压由三局部组成：最大输入电压（VINMAX）、副边折射电压（VOR = n x VO）和振铃发生的峰值电压（VSPIKE）。
在输入输入电压、匝数比（n）和MOSFET选定的环境下，应尽能够或许按捺VSPIKE，以确保MOSFET任务在应力规模以内。工程师凡是会挑选 RCD 钳位电路来按捺振铃，由于它设想简略、本钱昂贵并且能够或许有用按捺电压尖峰。
准确挑选 RCD 钳位电路相当主要，由于不抱负的电阻和电容值会增添 MOSFET 的应力或电路功耗。
图 3 显现出，当 MOSFET 导通时，能量存储在励磁电感 (LM) 和泄电感 (LS) 中；当 MOSFET 关断时，LM 中的能量被转移到副边，但漏感能量不会转移。漏感会被开释以导通D1，并为 C1充电。一旦充电电压到达 VCLAMP，则D1 关断，C1 经由进程R1放电。
挑选R1 时，须要斟酌电阻功率 1/3的降额。按照能量守恒道理，R1 可由公式（1）计较得出：
钳位电容 (C1) 应充足大，以便在接收漏感能量的同时完成低脉动电压。脉动电压凡是取钳位电压的 5% 至10% 。要肯定 C1的最小值，须要斟酌其寄生 R 和 L 较小。最小C1能够或许经由进程公式 (2) 来计较：
论断
RCD电路设想能够或许作为一种简略有用的按捺体例来节制反激原边振铃。经由进程谨慎挑选电阻和电容，钳位电路能够或许更好地接收漏感能量。别的，RCD钳位电路不耗损主励磁电感能量，并且能够或许下降峰值电压和功率器件的开关应力。
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