STW21N150 1500V 14A超结MOSFET电源利用-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-02-10
这类很是高电压的N沟道功率MOSFET是利用MDmesh设想的? K5手艺基于立异的专有垂直布局。其成果是，对须要高功率密度和高效力的利用，导通电阻和超低栅极电荷明显下降。
STW21N150特点
行业最低RDS（on）x面积
行业最好品德因数（FoM）
超低栅极电荷
100%雪崩测试
齐纳掩护
STW21N150兼备超结手艺长处与1500V漏源（drain-to-source）击穿电压（breakdown voltage）的晶体管，并已博得亚洲及西欧首要客户用于其主要设想中。
STW21N150 1500V 14A超结MOSFET对准计较机办事器及产业主动化市场。办事器请求更高的赞助开关式电源输入功率，同时电源妥当性是最大限制削减断电停机时候的关头因素，电焊、工场主动化等产业主动化利用也须要更大的输入功率。这些利用的输入功率在75W至230W之间或更高，超结MOSFET手艺的超卓静态开关机能使其成为产业利用的最好挑选。
单元面积同态电阻（Rds(on)）和栅电荷量（Qg）均创市场最低，并具有业界最好的FoM（品德因数）。是时下支流电源拓扑的抱负挑选，包含规范准谐振（quasi-resonant）有源钳位反激式转换器和LLC 半桥式转换器，均须要宽输入电压、高能效（高达96%）和输入功率近200W的电源。其最大漏源电流到达14A，通态电阻仅为0.9Ω；接纳TO-247封装。
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