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LDO在上电时电压过冲题目阐发-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2023-02-07 

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LDO在上电时电压过冲题目阐发-KIA MOS管


经由过程LDO道理先容,其外部是一个负反应调理电路,当碰到电压高于设定值停止降压和低于设定值停止电压弥补以到达稳压目标,可是有些品牌的LDO在上电时会呈现一个短时候的电压过冲,如图1所示。


LDO 上电 电压过冲

图1 某品牌LDO上电刹时电压过冲(波形缩小后实拍)


图为示波器设置为回升沿触发形式下,上电抓取的波形,每格500mV,经频频丈量上电刹时电压过冲到3.8V摆布,大局部单片机的任务电压最大值为3.6V,虽偶然短时候过压不会形成题目(芯片外部有一定的过压掩护),可是在多量量出货或开关次数多的环境下,将会成一个严峻的品德隐患,以是在设想时应该极力防止这类环境。


电压过冲缘由

在现实利用中,LDO的等效电路应如图2所示。


LDO 上电 电压过冲

图2 现实利用中的等效电路(黄色框为LDO外部道理)


R_PCB为印制电路板上导线的电阻,普通很小很小,可疏忽不计,电压过冲的关头身分在于ESR_OUT,即输入端电容的管脚寄生电阻(ESR)。


上电刹时电容视为短路,即C_out两头电压为0,若ESR太小,则V_OUT端刹时电压也被拉低至0V,这时候候LDO外部负反应电路会有一个大幅度的电压弥补,V_OUT刹时降低,此时V_DS(mos管漏源电压)很小


V_OUT = V_IN - V_DS


可是电容C_OUT充电时候很短,布满电以后,V_OUT变为3.3V,而这时候候由于反应回路须要呼合时候,MOS管来不迭调理,即V_DS还未增大,则会引发电压过冲,呈现短时候大于3.3V的环境。


处理体例

对电压过冲景象,今朝网上大局部回覆是加大电容,接收掉过冲的能量,电容确切有滤波感化,但不适适用在此处,增大电容简直能够使得输入端电容的充电时候耽误,可是在充电完成后LDO输入端一样会呈现电压发抖的环境。


① 由于ESR太小,上电刹时电容回路不充足的电阻分压,输入端刹时电压会被拉至靠近0V,而反应回路则会最大水平的开启mos管以完成稳压。


② 电容充电时候常数与充电电流有关,但充电曲线外形与充电电流有关,电流越大,充电曲线越峻峭,电容两头电压变更的就越快,而电压变更越快,则越倒霉于LDO外部的反应调理。


以上两点申明处理上电时电压过冲的体例是恰当增添电容的ESR,测试时能够串连一个2.7Ω电阻,过冲环境会加重良多。不过在现实利用中碰到这类环境间接改换其余品牌的LDO就能够,电压过冲自身申明LDO出产时不斟酌到一些极度前提下的电压调剂,今朝有些品牌的LDO遍及有此景象,选型时还须要细心丈量,防止利用时破坏其余元器件。



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