LDO阐发：PMOS LDO和NMOS LDO-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-02-06
图所示为 PMOS LDO 架构。为调理所需的输入电压，反应回路将节制漏-源极电阻 RDS。跟着 VIN 逐步靠近 VOUT(nom)，偏差缩小器将驱动栅-源极电压 VGS 负向增大，以减小 RDS，从而坚持稳压。
可是，在特定的点，偏差缩小器输入将在接地端到达饱和状况，没法驱动 VGS 进一步负向增大。RDS 已到达其最小值。将此 RDS 值与输入电流 IOUT 相乘，将取得压降电压。
请记着，跟着 VGS 负向增大，能到达的 RDS 值越低。经由过程晋升输入电压，能够使VGS 值负向增大。是以，PMOS 架构在较高的输入电压下具备较低的压降。下图展现了此特征。
如图所示，TPS799 的压降电压随输入电压（也合用于输入电压）增大而下降。这是由于跟着输入电压下降 VGS会负向增大。
NMOS 架构如图所示，反应回路依然节制 RDS。可是，跟着VIN 靠近 VOUT(nom)，偏差缩小器将增大 VGS 以下降 RDS，从而坚持稳压。
在特定的点，VGS 没法再下降，由于偏差缩小器输入在电源电压 VIN 下将到达饱和状况。到达此状况时，RDS处于最小值。将此值与输入电流 IOUT 相乘，会取得压降电压。
不过这也会发生题目，由于偏差缩小器输入在 VIN 处到达饱和状况，跟着 VIN 靠近 VOUT(nom)，VGS 也会下降。这有助于避免呈现超低压降。
良多 NMOS LDO 都接纳赞助电压轨，即偏置电压 VBIAS，如图所示。
电荷泵将晋升 VIN，以便偏差缩小器在贫乏内部 VBIAS 电压轨的环境下仍能够天生更大的 VGS 值。
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