PWM驱动MOS管开关电路图分享-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-02-02
IRF540便是很经常利用的MOS管了，特别负载如H桥外面的双MOS驱动。有公用的驱动芯片如IR2103
若是只是单个MOS管的通俗驱动体例像这类加强型NMOS管间接加一个电阻限流便可。因为MOS管内部有寄生电容偶然候为了加快电容放电，会在限流电阻反向并联一个二极管。
用于NMOS的驱动电路和用于PMOS的驱动电路
针对NMOS驱动电路做一个简略阐发：
Vl和Vh别离是低端和高真个电源，两个电压能够是不异的，可是Vl不应当跨越Vh。
Q1和Q2构成了一个反置的图腾柱，用来完成断绝，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。
R2和R3供给了PWM电压基准，经由过程转变这个基准，能够让电路任务在PWM旌旗灯号波形比拟陡直的地位。
Q3和Q4用来供给驱动电流，因为导通的时辰，Q3和Q4绝对Vh和GND最低都只要一个Vce的压降，这个压降凡是只要0.3V摆布，大大低于0.7V的Vce。
R5和R6是反应电阻，用于对gate电压停止采样，采样后的电压经由过程Q5对Q1和Q2的基极发生一个激烈的负反应，从而把gate电压限定在一个无限的数值。这个数值能够经由过程R5和R6来调理。
最初，R1供给了对Q3和Q4的基极电流限定，R4供给了对MOS管的gate电流限定，也便是Q3和Q4的Ice的限定。须要的时辰能够在R4下面并联加快电容。
这个电路供给了以下的特征：
1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。
2，用小幅度的PWM旌旗灯号驱动高gate电压须要的MOS管。
3，gate电压的峰值限定
4，输入和输入的电流限定
5，经由过程利用适合的电阻，能够到达很低的功耗。
6，PWM旌旗灯号反相。NMOS并不须要这个特征，能够经由过程前置一个反相器来处理。
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