差别封装形成的电压尖峰差别-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-01-29
SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具备击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射才能强等上风，在各类百般的电源利用规模在敏捷地扩展。此中一个首要缘由是与之前的功率半导体比拟，SiC MOSFET 使得高速开关举措成为能够。
可是，因为开关的时辰电压和电流的急剧变更，器件的封装电感和周边电路的布线电感影响变得没法轻忽，致使漏极源极之间会有很大的电压尖峰。这个尖峰不能够跨越利用的MOSFET 的最大规格，那就必须按捺尖峰。
Turn OFF 尖峰按照封装的差别而有差别。图是 SiC MOSFET 的代表性封装, (a)是被普遍接纳的TO-247-3L，(b)是近几年垂垂扩展接纳的用于驱动电路的源极度子（即所谓的开尔文接法）的TO-247-4L。
4L 型与3L 型比拟，转变了驱动电路途径，使开关速率加速。因为这个缘由，Turn ON 电压尖峰和Turn OFF 电压尖峰变得更大。图10为3L 范例和4L 范例的Turn OFF 电压尖峰的对照波形。
VDS＝800V、RG_EXT＝3.3Ω、ID＝65A 时的Turn OFF波形，漏极源极间电压尖峰3L 范例为957V，而4L 范例则为1210V。
如上所述，桥式电路中的MOSFET 的栅极旌旗灯号在MOSFET之间彼此接洽关系、举措，并在栅极源极之间发生预感以外的电压尖峰，其按捺体例须要斟酌基板的线路布线，按照环境差别采用差别的对应。
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