开关耗损测试在电源调试中的首要感化-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-01-11
MOSFET/IGBT的开关耗损测试是电源调试中很是关头的关头。开关电源(SMPS)手艺依靠电源半导体开关装备，如金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和绝缘门双极晶体管(IGBT)。这些装备供给了疾速开关时候，能够或许耐受不纪律的电压峰值。
一样首要的是，其在 On 状况或 Off 状况下耗损的功率很是小，完成了很高的效力，而生成的热量很低。开关装备在极大水平上决议着 SMPS 的全体机能。开关装备的关头丈量名目包含开关耗损、均匀功率耗损等等。
通俗来讲，开关督工作的功率耗损道理图如图1所示，首要的能量耗损表现在“导经由进程程”和“封闭进程”，小局部能量表现在“导通状况”，而封闭状况的耗损很小几近为0，能够或许疏忽不计。
图1 开关督工作的功率耗损道理图
现实的丈量波形图成果通俗如图2所示。
图2 开关管现实功率耗损测试
对通俗MOS管来讲，差别周期的电压和电流波形几近完整不异，是以全体功率耗损只要要肆意丈量一个周期便可。
但对PFC MOS管来讲，差别周期的电压和电流波形都不不异，是以功率耗损的精确评价依靠较永劫候（通俗大于100ms），较高采样率（保举1G采样率）的波形捕获，此时须要的存储深度保举在10M以上，并且请求一切原始数据（不能抽样）都要到场功率耗损计较，实测截图如图3所示。
图3 PFC MOSFET功率耗损实测截图
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