LED电路：操纵MOSFET晋升效力下降噪声-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-01-11
LED照明电路（临界形式PFC＋DC/DC）：操纵MOSFET晋升效力并下降噪声的案例
上面的电路摘自现实LED照明电路的相干局部。该LED驱动电路是DC/DC转换器经由过程临界形式（BCM）的PFC向LED供电的。
上面将先容在该电路中转变PFC部的开关MOSFET、DC/DC转换器部的开关MOSFET、和其栅极电阻RG，并对效力和噪声停止比拟的环境。
原设想利用的超等结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”）标记为“Original”。斟酌到噪声题目，Original的RG接纳100Ω。
对此，将PFC及DC/DC转换器的开关替换为三种SJ MOSFET，RG也测验考试了100Ω和50Ω两种计划。MOSFET接纳高速开关型R5207AND，和新一代产物R6004END和R6004END，噪声均得以下降。
下表中黄色高亮表现效力高于Original，绿色高亮表现最高效力。
取得的论断是PFC接纳R5207AND、DC/DC转换器接纳R6004END的组合效力最好，RG为50Ω时的效力更高（3种SJ MOSFET的组合共有9组成果，结果不好的已被省略）。与Original比拟，效力进步了1%摆布。效力是电路全体的效力。
别的，请看上面DC/DC转换器部的噪声特征。数据是Original与效力最好的R6004END/50Ω的比拟数据。
Original的开关速率比拟快，是以接纳100Ω的RG作为噪声对策比拟安妥，不过低噪声的R6004END在RG为50Ω时即便进步开关速率后噪声也比Original低，可在进步效力的同时下降噪声。
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