经由过程双脉冲测试确认MOSFET消耗-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-01-10
MOSFET体二极管的反向规复特征与桥式电路消耗的干系
在逆变器电路和Totem Pole型功率因数改良（PFC）电路等具备2个以上MOSFET的桥式电路中，因为流过高低桥臂的电流会使导通消耗增添。
该景象受开关MOSFET和对应桥臂MOSFET的体二极管（寄生二极管）的反向规复特征影响很大。是以，在桥式电路中，体二极管反向规复特征优良的MOSFET上风较着。
甚么是双脉冲测试？
双脉冲测试是普遍操纵于MOSFET和IGBT等功率开关元件特征评价的一种测试体例。该测试不只能够评价工具元件的开关特征，还能够评价体二极管和IGBT一起操纵的疾速规复二极管（FRD）等的反向规复特征。
是以，对导通时产生反向规复特征激发消耗的电路的评价很是有用。双脉冲测试的根基电路图以下所示。
别的，当该电路的Q1是续流用MOSFET、Q2是驱动用MOSFET时，双脉冲测试的根基任务以下表所示。根基任务首要能够分为①、②、③这三种。
当界说脉冲产生器的电压为VPulse、流过电感的电流为IL、Q2的漏源电压为VDS_L、Q2的漏极电流为ID_L时，各形式的任务、电流途径和波形如表所示。
在任务③中，在Q2导通时能够观察到短路电流（ID_L白色局部）。这是由Q1体二极管的反向规复特征激发的。
当体二极管从ON转换为OFF时，必须将ON时所积蓄的电荷停止放电。此时，设从体二极管开释出的电荷量为Qrr，开释电荷所产生的电流峰值为Irr，Q2的功率消耗为Pd_L，则Q2的导通举措能够如右图所示。ID_L的三角形面积为Qrr、三角形的高为Irr。
普通环境下，当续流侧元件Q1的体二极管反向规复特征较差、Qrr也较大时，驱动侧元件Q2的导通消耗会增添。是以，在像逆变器电路如许的流过再生电流的操纵和Totem Pole型PFC电路中，须要斟酌到体二极管的反向规复特征对消耗有较大的影响。
关头要点:
?在具备2个以上MOSFET的桥式电路中，当MOSFET的体二极管反向规复特征较差时，导通消耗会增添。
?双脉冲测试是普遍操纵于MOSFET和IGBT等功率开关元件特征评价的一种测试体例。
?双脉冲测试不只能够评价工具元件的开关特征，也能够评价体二极管和外置疾速规复二极管等的反向规复特征。
?双脉冲测试对导通时产生反向规复特征激发消耗的电路的评价很是有用。
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