PMOS设想反向电压掩护电路、道理-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-01-10
直流体系中，比方汽车电子设想中，当电池接反时，利用电池作为电源的电路能够会破坏，以是普通须要反向电压掩护电路。
实在用MOSFET作为反向掩护电路普通比拟少，缘由本钱比拟高，最罕见的体例是利用二极管，但是，二极管压降很高，这将在高压电路中发生题目，这便是电池反向掩护中普通利用 MOSFET 作为防反接器件的缘由，由于它的导通电压降很是低。
PMOS作为反向电压掩护电路的道理
MOSFET不管N沟道或P沟道，它们都很是合适作为反向电压掩护器件，上面讲授一下基于P沟道MOSFET反向掩护电路的设想。
下图说了然若何利用 P 沟道MOSFET作为反向电压掩护的电路毗连。须要注重的是MOSFET必须装置在电源端。此中漏极D必须毗连到电池的正极，栅极必须毗连到体系接地端。
当电源电压存在时，电流将流向MOS管的体二极管。体二极管将导通，由于电池电压高于体二极管的正向偏置电压。MOSFET源极的电压将为电池电压减去体二极管压降。
简而言之，这是一个比拟低的电压程度。MOSFET的栅极毗连到地，这象征着施加到栅极到源极的电压为
一旦施加到栅极到源极的电压为负电压，PMOS将处于导通状况，电流将流向PMOS导通沟道，不在流经体二极管，缘由是PMOS的导通电阻很小，那末流经它的电流发生的压降也是很小，从而没法到达体二极管的导通压降，体二极管天然就关断了。
P沟道MOSFET作为电池反向掩护的根基设想请求
a. 栅源阈值电压
栅极到源极上施加的负电压必须知足PMOS的电平请求。上面是某MOSFET规格书中的栅极到源极阈值电压。
能够看出为了翻开MOSFET，电源电压和体二极管之间的差值必须高于-1V才行。对高压体系，最好挑选栅极到源极阈值电压很是低的 MOSFET。
b. 最大栅源电压
MOSFET的最大栅源电压规格不得跨越规格书中的限定，不然PMOS会遭到破坏
c. 额外电流
PMOS的额外漏极电流必须高于流入它的现实电流
d. 额外功率
额外功率相当主要，由于这是 MOSFET散热才能无限。计较出的功耗必须低于器件的额外值。比方规格书中指的是 25℃时的额外功率为8.3W。是以，现实任务的功耗必须低于此值，并留有充足的余量。
e.任务温度规模
还须要注重MOSFET的任务情况温度以跨越其最大结温规模。
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