直流电路防反接掩护计划图文-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-01-03
在直流电源体系中，电源的输出端，为了避免电源正负极接反，凡是会在输出端对电源停止防反接掩护。
1.二极管防反接
操纵二极管的单向导通特色完成防反接，这类体例是最简略的防反接体例，本钱也低，可是错误谬误也很较着。
起首，二极管的压降较大，硅管0.7V摆布，锗管0.2-0.3V摆布。这在一些电源电压较小的操纵中就不适合，比方锂电池供电，3.3V的体系中，二极管上会丧失最少0.2V的压降。
别的，不适合大电流的操纵。假设体系电流2A，二极管压降0.7V，则二极管上的功耗为1.4W，发烧量大，效力低。
2.整流桥防反接
这类体例也是操纵二极管的单向导通特色，只不过利用了四个二极管。这类体例的长处是，不管正接反接电路城市普通任务。错误谬误与二极管防反接一样，并且压降是两个二极管的压降，错误谬误更较着。
3.NMOS管防反接
图中Q1为NMOS管，当电源正接时，MOS管的体二极管导通，源极S的电压为0.7V摆布，栅极G的电压VBAT，则Vgs =(VBAT-0.6)*R5/(R5+R3)，被选取适合的R3和R5值，使Vgs到达MOS管的开启电压，则MOS管DS极导通，体二极管被短路，体系经由进程MOS管构成回路。
MOS管的导通电阻普通很小，毫欧级别，即便体系电流较大也不会发生很大的压降和功耗。
当电源反接时，寄生二极管反接，MOS的导通电压为0，NMOS停止，从而对体系构成掩护。
图中D5为稳压管，避免Vgs电压过大致使MOS被击穿，C1电容的感化是使电路有个软启动的进程，电流经由进程R3对C1充电，使G极电压慢慢成立。
4.PMOS管防反接
PMOS管防反接与NMOS管道理一样，只不过NMOS是接在电源负极，PMOS是接在电源正极。电路以下，不再详细阐发。
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