NMOS管防反掩护电路设想-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-01-03
设想具备 NMOS 和驱动IC 的防反掩护电路时，NMOS 需安排在高边，驱动IC也从高边取电，这里将发生一个大于输出电压 (VIN) 的外部电压，给 NMOS 供给 (VGS)驱动供电。
按照驱动电源发生的道理，驱动IC能够接纳电荷泵计划或起落压(Buck-Boost)计划。详细描写以下：
电荷泵防反掩护计划: 电荷泵计划具备较低的整体BOM 需要，从而可下降本钱。该计划很是合适小电流利用，比方汽车 USB 供电装备 (PD) 大功率充电模块。
起落压防反掩护计划: 起落压计划供给壮大的驱动才能和超卓的EMC 机能。该计划很是合适大电流和高机能情况，比方汽车域节制器和声响体系。
图 1 显现了电荷泵计划与起落压计划的特征。
图 1：电荷泵计划与起落压(Buck-Boost)计划
驱动IC的任务道理
图2显现了具备电荷泵拓扑的NMOS驱动简化任务道理图。
图 2：电荷泵拓扑的任务道理图
CLK周期描写以下：
1. S1和S2导通
2. C0 由外部对地电压源充电
3. S3和S4导通
4. C1 由 C0 上的电压充电
C0 是具备疾速充电和放电速率的小电容，而 C1 则是具备大负载才能的大电容。是以，经由过程S1和S2(和S3和S4)的频仍切换， C0 上的电荷能够不时传输给 C1，而 C1 的负端毗连至电池电压 (VBATT)。终究，NMOS由一个大于 VBATT 的电压驱动。
图 3 显现了具备起落压拓扑的 NMOS 驱动简化任务道理图。
图 3：起落压拓扑的任务道理图
在起落压拓扑中，功率MOSFET放在低边。当 S_BAT 导通时， VIN 对电感充电，电感电压为负;当S_BAT关断时，电感将经由过程二极管开释能量，电感电压为正，并为 C1充电。当 C1 上的电压跨越 VBATT 时，NMOS栅极将被驱动。
起落压驱动 IC 的上风
在防反掩护驱动 IC 中接纳起落压驱动 IC 有两个较着上风：加强驱动电流才能并进步 EMC 机能。
驱动电流才能
起落压拓扑能够供给更大的驱动电流才能和更快的输出搅扰呼应才能。
接纳最好的防反掩护电路设想对经由过程各类脉冲搅扰测试规范很是主要。与传统的 PMOS电路比拟，NMOS 电路进步了驱动电流才能和 EMC 机能。
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