PMOS管的防反电路设想阐发-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-01-03
防反电路的根基范例：
1、串连肖特基二极管
这类体例的长处是简略，本钱低，但消耗较大。通俗用于电流不跨越 2-3A 的小电流利用。
2、在高边串连 PMOS
这类体例的驱动电路简略，当电源正接时，PMOS 沟道导通，管压降小，消耗和温升低，当电源反接时，PMOS 沟道封闭，寄生体二极管完成防反的功效。错误谬误是，PMOS 本钱较高。通俗用于电流跨越 3A 以上的大电流利用场所。
3、在低边串连 NMOS
这类体例栅极驱动电路简略，且 NMOS 本钱较低。其任务道理和 PMOS 近似。但因为这类防反布局使得电源地和负载地被朋分，在汽车电子产物设想中，很少用到。
具体先容PMOS的防反电路设想
以下是最传统的接纳 PMOS 做防反功效的电路单位，PMOS 的门级接电阻到地。
当输出端接正向电压时，电流流过 PMOS 的体二极管到负载端，当正向电压高于 PMOS 门限阈值电压，则会导通沟道，PMOS 的 Vds 压降下降，从而完成低消耗。
通俗咱们会在门级和源极之间接稳压管，避免输出电源动摇时，栅源极 Vgs 呈现过压，击穿 PMOS；
但根基 PMOS 防反电路具备以下两个错误谬误：
1.体系待电机流较大
PMOS防反单位电路，从头至尾，由稳压管和限流电阻组成的Vgs驱动和掩护电路都存在暗电流，如许限流电阻R的挑选将影响全体的待机功耗；
限流电阻R的取值不宜过大。一方面，通俗稳压管的一般钳位电流根基为mA级，若是限流电阻过大，稳压管没方法靠得住导通，其钳位的机能大打扣头，Vgs存在过压的危险；
另外一方面，限流电阻越大，PMOS的驱动电流越小，其守旧和关断的进程就越慢，当输出存在电压动摇的时辰，PMOS能够永劫间存在于线性区，致使PMOS呈现过温的题目。
2.存在反灌电流。
接纳根基 PMOS 做防反电路设想，在做输出电源跌落测试时，跟着输出电压跌落，PMOS 沟道仍导通，此时体系电容的电压会反灌电源，致使产物的体系掉电，功效间断。
在做输出叠加交换电压测试时，因为 PMOS 完整导通，一样存在电流反灌的景象，致使电解电容频频充放电，电解电容存在过热隐患。
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