基于N沟道MOS管反向电压掩护电路-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-12-23
N沟道MOSFET作为反向电压掩护电路道理
上面是一个基于N沟道MOSFET的反向掩护电路，和PMOS差别的是，NMOS须要接在电源的负极度。此中漏极D必须接到电源的负极。源极S必须毗连到装备的地，栅极则必须毗连到电源的正极。
在电路启动时代，电流将起头从电源的正极度子流向装备，而后再流向NMOS的体二极管，最初流向电源的负极度子，在此时代，体二极管将处于正向偏置导通状况。
当体二极管导通后，将有电流在电路中轮回活动。此时的栅源电压为：
VGS = VG – VS
VG = 电源电压
VS = 二极管压降
以是：
VGS = VG – VS = Vbattery – 二极管压降
这将致使MOSFET的栅极到源极有一个正的电压降。是以NMOS 将导通，电流将流向NMOS的沟道而不是体二极管，再给大师诠释一下，NMOS的导通电阻很小，那末流经它的电流发生的压降也是很小，从而没法到达体二极管的导通压降，体二极管天然就关断了。
N沟道MOSFET作为电池反向掩护的根基设想请求
a. 栅源阈值电压
要想MOSFET胜利为电源供给反向掩护，仅用供给偏置栅极到源极的正电压是不够的，必须知足请求的阈值请求。一样的对高压体系，最好挑选栅极到源极阈值电压很是低的 MOSFET。
b. 最大栅源电压
此中最大栅源电压值不得跨越规格书中的划定值。
c. 额外电流
以下是NMOS规格书中指定的电流额外值，须要注重其测试前提是常温，当温度降低时，是达不到这么大通流才能的，以是你须要注重你的产物任务温度是几多。
d. 额外功率
对额外功率也是有请求的，下图给出的也是25℃的值，当情况温度降低时，我么也须要停止响应降额。
e.任务温度规模
任务温度须要斟酌情况温度和MOS管本身温升，两者叠加后不得跨越划定规模值。
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