驱动IC节制的MOS管开关电路实例阐发-KI MOS管
信息来历：本站 日期：2022-12-20
在设想MOS管驱动电路时，要知足的重要前提便是Vgs电压大于Vth开启电压，普通来讲Source极是接地的，以是咱们普通存眷的是Gate电压，可是在一些特别的利用处所中，比方H桥驱动机电时，这个时辰MOS管的S极能够或许并不间接接地，那末咱们应当若何节制MOS管的开关呢？这时辰辰就须要用到特地的MOS驱动IC了。
特地的驱动IC为了实现疾速开关MOS，普通外部会合成自举电路，从而能够或许供给高于电源电压的驱动电压来疾速开关MOS,以DGD0506为例，固然该IC的供电电源电压是15V，可是它却能供给高达50V的驱动电压输入。
VB和VS引脚之间的电容便是自举电容，是实现升压的焦点器件。从上面的电路咱们能够或许看出来，驱动IC的Vs引脚间接接到了MOS的Source极，如许就处理了不GND作为Source极电压参考的题目。
别的，若是咱们用分立器件搭建半桥驱动电路来驱动机电时，一旦软件呈现BUG，两个MOS同时导通，相称于VCC和GND直连了，那末两个MOS上会呈现很大的短路电流，能够或许会销毁MOS，集成MOS外部有死区时辰节制，能够或许从硬件上防止两个MOS同时导通的环境呈现；
简略来讲便是咱们在开启一个MOS时，会硬件延时，而这段硬件延时时辰能充实保障另外一个MOS已封闭了，咱们能够或许经由过程调剂DT引脚上毗连的电阻来调剂死区掩护时辰。
总结来讲，利用IC驱动MOS削减了核心分立器件，并且能大大扩大驱动电压和利用处景，固然，这也会致使本钱的回升，以是仍是要基于需要来搭建驱动电路，若是你得MOS管开关电路不开关时辰的请求，并且也不是驱动H桥这类电路，只是用于简略的负载开关，这个时辰斟酌一下电流，MOS管的温升，若是都比拟公道的话，那用MCU直驱也是能够或许的。
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