三极管继电器驱动电路器件参数值计较-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-12-20
普通接纳三极管作为继电器驱动电路，而NPN三极管是充任低侧开关，这象征着NPN导通时，三极管自身将成为继电器线圈的接地途径，上面是一个继电器驱动电路，咱们能够把继电器线圈等效成线圈电感Lcoil和线圈电阻Rcoil的串连电路。
Q1导通后将把继电器的低端接地以使线圈通电，当VIN节点有高电平旌旗灯号时，Q1将饱和导通并将继电器接地。另外一方面，当VIN节点不驱动旌旗灯号时，Q1将堵截继电器的线圈通路。
R2电阻将增添电路的抗噪才能，特别是当 VIN开路时，D1用于掩护反冲电压继电器反电动势的晶体管,接上去咱们就详细计较一下每一个器件的参数值。
须要继电器驱动电路将继电器的线圈另外一侧接地，抱负环境下驱动开关上的电压降最好为零，这就象征着晶体管应当在深度饱和下任务。
深度饱和象征着即便在最坏的环境下，比方斟酌温度，缩小倍数漂移等身分，晶体管也将坚持饱和状况。假设V1=12V，VIN=5V，Rcoil=330Ω。
a.求解集电极电流:
IC=V1/Rcoil=12V/330Ω=36.37mA
b.设置基极电流以保障三极管深度饱和：
IC/IBd的值普通小于10以为是深度饱和。
在这个例子中咱们定为10，最精确的体例是确认一下三极管规格书中β的最小值：
IC/IB=10，须要注重的是基极电流不能跨越驱动电路最大输入电流。
IB=IC/10=36.37mA/10=3.64mA
c.电阻阻值计较：
VIN=5V，R2 可设置为10kΩ。R2的目标只是确保当 VIN 处于开路状况时基极接地，是以10kΩ 充足了，流过它的电流能够求解为：
IR2=VBE/R2=0.7V/10kΩ=70uA；咱们在这里利用0.7V作为VBE压降，详细需参考规格书。
而后，R3 上的电流也能够利用以下公式计较：IR3=IR2+IB=70uA+3.64mA=3.71mA；最初，能够利用以劣等式计较 R3：
R3 = (VIN–VBE)/IR3=(5V–0.7V)/3.71mA = 1.16kΩ
d.器件功耗计较：
三极管功耗：PQ1=IB*VBE+VCE*IC
PQ1=3.64mA*0.7V + 0.1V*36.37mA = 6.185mW;
R2 功耗：PR2 = IR2*IR2*R2 = 70uA*70uA*10kΩ = 49uW；
R3 功耗：PR3 = IR3*I R3*R3 = 3.71mA*3.71mA*1.16kΩ = 16mW；
继电器功耗：PRelay = IC*IC*Rcoil=36.37mA*36.37mA*330Ω = 436.5mW；
计较出一切器件的值和功耗以后，咱们就可以按照这些参数停止器件选型和输入BOM了。
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