单片机IO口驱动为甚么选用三极管？-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-12-19
1.单片机为甚么不间接驱动负载？
2.单片机为甚么普通选用三极管而不是MOS管？
图1
答：
1.单片机的IO口，有必然的带负载才能。但电流很小，驱动才能无限，普通在10-20mA之内。以是普通不接纳单片机间接驱动负载这类体例。
2.至于单片机为甚么普通选用三极管而不是MOS管？须要领会三极管和MOS管的区分，以下：
①三极管是电流节制型，三极管基极驱动电压只需高于Ube（普通是0.7V）就能够导通。
②MOS管是电压节制型，驱动电压必须高于阈值电压Vgs（TH）才能普通导通，差别MOS管的阈值电压是不一样的，普通为3-5V摆布，饱和驱动电压可在6-8V。
现实利用：
处置器普通讲求低功耗，供电电压也愈来愈低，普通单片机供电为3.3V，以是它的I/O最高电压也便是3.3V。
①间接驱动三极管
3.3V电压必定是大于Ube的，以是间接在基极串连一个适合的电阻，让三极管任务在饱和区就能够了。Ib=（VO-0.7V）/R2。
图2 驱动三极管表示图
②驱动MOS管
经由过程后面也领会到，MOS管的饱和电压>3.3V，若是用3.3V来驱动的话，很能够MOS管底子就打不开，或处于半导通状况。
在半导通状况下，管子的内阻很大，驱动小电流负载能够这么用。可是大电流负载就不行了，内阻大，管子的功耗大，MOS管很轻易就烧坏了。
以是，普通挑选I/O口间接节制三极管，而后再节制MOS管。
图3 I/O口驱动三极管后再驱动MOS管
当I/O为高电日常平凡，三极管导通，MOS管栅极被拉低，负载RL不任务。
当I/O为低电日常平凡，三极管不导通，MOS管经由过程电阻R3，R4分压，为栅极供给适合的阈值电压，MOS管导通，负载RL普通任务。
必然要用三极管来驱动MOS管吗？
那是由于三极管带负载的才能不MOS管强，当负载电流有请求时，必须要用MOS管来驱动。
那能够用I/O口间接驱动MOS管吗？谜底是能够的，但这类型号难找。
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