【图文阐发】对线性MOSFET-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-12-19
线性MOSFET是线性形式利用的最合适挑选，能够或许确保靠得住运作。但是，用于线性形式利用时，规范MOSFET轻易发生电热不不变性(electro-thermal instability, ETI)，能够或许致使器件粉碎。
A类音频缩小器、有源DC-link放电、电池充放电、浪涌电流限定器、高压DC机电节制或电子负载等线性形式利用请求功率 MOSFET 器件在电流饱和地区内任务。
在功率 MOSFET 的线性任务形式，高电压和高电流同时显现，是以凡是MOSFET的功率耗损程度高于较罕见的开关形式利用。
图 1显现欧姆地区、非线性地区和饱和(或有源)地区，这三个差别的地区代表了功率MOSFET的输入特点。
有源地区：MOSFET 沟道因为大都电荷载流子而饱和。在该地区中，ID自力于VDS。ID仅由VGS节制，并且对任何给定VDS坚持恒定。换言之，MOSFET表现出恒定current sink的特点。
非线性地区：MOSFET的电阻显现非线性行动，ID跟着VDS而增添的速度减慢。
欧姆地区：对给定栅源电压VGS，漏极电流ID与漏源电压VDS成反比。MOSFET在此运作形式下充任电阻器，数值即是其导通电阻RDS(ON)。
图1：功率MOSFET输入特点
规范MOSFET 不合适线性形式运作
当功率天生速度高于功率耗散速度时，线性形式下较大的功率耗散PD会激发电热不不变性(electro-thermal instability, ETI)，能够懂得为功率 MOSFET强迫进入线性运作形式。
凡是，MOSFET 晶圆边缘(芯片焊接到功率封装之装置片的地位)的温度低于管芯中间的温度，这是横向热流的成果。在理论中，功率 MOSFET的晶圆结温Tvj并不平均。固然芯片温度变更在开关形式运作中大多是有害的，但在线性形式运作中，这些温度变更会激发灾害性毛病。
外表上的正反应粉碎机制带来的成果：
结温 Tvj局部下降
因为负温度系数，进步芯片温度会致使栅极阈值电压VGSTH局部下降
下降阈值电压激发了局部电流密度JDS增添，使得
电流密度的增添致使局部功率耗散增添，从而激发结温进一步局部下降
MOSFET 等效电路包罗寄NPN晶体管，其自身由 n 和 p 搀杂地区序列构成，如图 2 所示。
按照功率脉冲的延续时候、传热前提和 MOSFET 单位的设想，ETI 能够或许会激发泄电流集合发生线电流并构成热门，电流经由过程Rw，发生压降，这凡是会致使受影响地区中的 MOSFET 单位落空栅极节制并开启寄生晶体管，随后粉碎器件。
图 2：MOSFET 等效电路
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