过压掩护+防反接+缓启动电源掩护电路-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-12-14
过压掩护、防反接、缓启动电源掩护电路
过压掩护、防反接、缓启动电源掩护电路道理申明：
1、过压掩护
普通输出无过压：稳压二极管D3停止，使得VCC_BAT经由过程R4/R6达到Q2PNP管的基极，而Q2的射极也是VCC_BAT，是以Q2的Vbe=0,Q2停止。
是以Q1PMOS的栅极经由过程R7/R8接地，源极其VCC_BAT，故Q1的Vgs<0，Q1导通，VCC_BAT与VCC_24V导通，普通输出24V电压给后级电路。
过压环境>26V普通会到28-30V，稳压管D3反向击穿，将Q2PNP管的栅极电位胁迫在其稳压值28V而Q2PNP的射极电压接的是过压的VCC，
是以Q2PNP的Vbe<-0.7，PNP导通，以后过压的VCC经由过程导通的Q2和R7到Q2PMOS的栅极，因为管压降很小，能够类似以为Q2PMOS的Vgs=0，PMOS关断，无输出电压到后级电路，完成过压关断掩护。
题目：关断时辰有提早。首要缘由是PNP导通后集电极处电位须要疾速下降到电源电压能力使得PMOS关断，而因为电容C4的存在，电位回升速率受限，τ = Rg * C。
能够的改良计划：外加一个节制电路来间接节制PMOS的栅极G，间接挂在稳压管1脚处就能够了。
2、防反接/欠压掩护
当不电源输出/电源输出小于Q3NMOS的Vgs阈值电压、电源反接的时辰NMOS关断地收集断开，无输出到后级回路完成掩护；
普通输出状况能够经由过程D4稳压管将Vgs 钳位到 10V，保障Q2NMOS守旧，地收集接通普通输出。
3、缓启动
C4感化：
一阶段：接通刹时 Q2PNP导通，Q1PMOS的栅极经由过程Q2和R7敏捷达到VCC_BAT，使得Q1的PMOS的Cgs充电终了之前达到Vgs = 0；
二阶段：此时因为VCC_BAT经由过程R4和R6达到PNP基极，让PNP关断，同时电容C4两头电压不可渐变，故VCC_BAT经由过程R4/R6/R8回路给电容C4充电，时代电容等效为一个阻值不时增大的内阻，
此电阻与R8串连分压，此电阻上的分压不时增添，是以PMOS管的栅级电位是以分压逐步下降直到Vgs < Vgs阈值，PMOS开启，从而完成缓启动。
各电源输出端口/各级电源拓扑的瞬态掩护
普通利用保险丝+TVS瞬态二极管接收电压过冲和刹时大电流掩护
各个电源端口能够加一个肖特基二极管避免电流/电压倒灌
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