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MOSFET搭建电源缓启动电路阐发-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2022-12-14 

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MOSFET搭建电源缓启动电路阐发-KIA MOS管



电源在停止插拔时,会有以下两种环境呈现:

1、电源毗连器的机器触点在打仗刹时会呈现弹跳;


2、因为体系大容量储能电容的充电效应,体系中会呈现很大的打击电流


上述两种环境能够会激发毗连器打火,激发火警;也能够会激发体系电源跌落,致使误码或体系重启。


MOS管

MOS管有导通阻抗Rds低和驱动简略的特色,操纵其米勒效应,在电路设想中能够设想电源缓启动电路(凡是环境下,在正电源顶用PMOS,在负电源中操纵NMOS),能够完成防发抖延时上电、节制输出电流的回升斜率和幅值等功效,进步电源不变性。


电源缓启动电路阐发

下图是用 NMOS 搭建的一个 -48V 电源缓启动电路:

MOS管 电源缓启动电路


1)D1是嵌位二极管,避免输出电压过大破坏后级电路;


2)R2和C1的感化是完成防发抖延时功效;


3)R1的感化是给C1供给一个疾速放电通道,请求R1的分压值大于D3的稳压值;


4)R3和C2用来节制上电电流的回升斜率;


5)R4和R5的感化是避免MOS管自激振荡,请求R4、R5<<R3;


6)嵌位二极管D3的感化是掩护MOS管Q1的栅-源极不被高压击穿;


D2的感化是在MOS管导通后对R2、C1组成的防发抖延时电路和R3、C2组成的上电斜率节制电路停止断绝,避免MOS栅极充电进程受C1的影响。


MOS管 电源缓启动电路



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